解决方案
作为专注于电子测试测量领域领先的综合服务商，奥门威奥门威斯人网站注册平台公司拥有专业化营销及技术服务团队。
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是德多通道源表克服LIV测试挑战
垂直腔面发射激光器(VCSEL)是成像、传感技术和数据通信的关键部件。VCSEL的优势之一是能够在制造过程的早期阶段进行晶片级别的测试，相比之下，对其他边缘发射半导体激光器的测试通常在制造周期结束时进行，此时产品已达到生产的最后阶段。这种测试方法允许及早检测组件故障，通过在封装之前识别有缺陷的设备，大大节省了时间和成本。 -
如何快速测试半导体器件I/V特性？
电子测量仪器作为基础科研工具，是国家科研自主可控的重要环节。在半导体器件、超导材料和光电器件等测试领域中，为了更全面地检测器件特性，提升整个测试系统的效率，往往对供给电源和测量同步性方面有更严苛的要求。奥门威奥门威斯人网站注册平台为您推荐更加便捷的国产测试解决方案，无需上位机软件，可直接在仪器界面设置并生成半导体元件如二极管、三极管、MOS管、IGBT等IV特性曲线，并可以直接调用常用器件库，帮您快速完成测试。 -
激光器测试
激光器测试对供电源有着极高的要求，为恒流供电方式。传统的电源，默认为CV环路优先，启动瞬间抑制电流过冲速度较慢。ITECH多系列可编程直流源具备CC/CV优先权功能，用户可根据测试需求调节环路速度，选择CV模式电压高速的测试场景，或是CC优先模式电流无过冲的场景。 -
半导体分立器件性能实验
半导体分立器件一般泛指半导体二极管、晶体管、晶闸管， 是构成电力电子变化装置的核心器件之一， 主要用于电力电子设备的整 流、稳压、开关、混频等， 在消费电子、汽车电子、电子仪器仪表、工业及自动控制、计算机及周边设备、网络通讯等众多国民经济领 域均有广泛、大量的应用。 -
IGBT与三代半导体SiC双脉冲测试方案
日前，基于SiC和GaN的第三代半导体技术蓬勃发展，其对应的分立器件性能测试需求也随之而来。其较高的dv/dt与di/dt给性能测试带了不少困难。泰克的TIVP系列光隔离探头，以其优越的160dB共模抑制比，超低的前端电容，丰富的连接方式，搭配便捷的AFG31000双脉冲输出功能，加速三代半导体测试流程。 -
多点位/纳安级漏电流测试解决方案
随着产线产量的增加，许多用户端采用的测试方式具有成本高、效率低的缺点，为了降低成本、提高能效，奥门威奥门威斯人网站注册平台提供的多端口测试方案可解决这一难题。
